湖南建行被骗3000万 支行行长称“银行无损失”

 行业资讯     |      2025-04-05

觀察上市類股走勢,台股電子股終場大跌4.95%,金融股下跌1.67%,半導體股重挫達6.13%。

全球最大民主國家與不平衡的國會印度雖然是兩院制國會,但依照憲法訂定的權力來說,下議院遠比上議院 (Council of States, Rajya Sabha)更能定奪國務。依據印度憲法和相關法律,目前只有下議院能對政府發起不信任投票,所有財政法案,也只需下議院投票通過便可生效。

湖南建行被骗3000万 支行行长称“银行无损失”

2019年當時合格選民9億1200餘萬人,其中6億1200萬人出來投票,換算成投票率是歷史新高的67.4%,而男女投票率也是第一次旗鼓相當。而上議院總共有245席,除了12名由總統指定,其他絕大部分的席位則是由一級行政區,也就是邦和聯邦屬地議會選舉。選舉方式類似美國參議院,每兩年改選三分之一的席次。而最後取得國家或邦執政權的,則是在議會過半數的單一或聯盟政黨下議院和邦議會選制相同,即單一選區內獲得最高票的候選人當選,得票率無需過半。

印度將於4月19進行五年一次的大選,下議院 (又稱人民院,Lok Sabha)545個席次當中,有543個席次將獲得改選,其餘兩席英國、印度社群席次,則由印度總統慕爾穆(Droupadi Murmu)指定,選舉結果將在6月4日公布。2019年當時合格選民9億1200餘萬人,其中6億1200萬人出來投票,換算成投票率是歷史新高的67.4%,而男女投票率也是第一次旗鼓相當。有趣的是,在以銻烯薄膜作為接觸金屬時,半導體二維材料通道與電極間的接觸電阻便降低了好幾個數量級。

神諭的具體內容是當愈來愈窄的運河不足以承載足夠多的水流時,便把運河挖深一點吧⸺只是這一次,水流變成了電流,而用以承載水流的空間則變成了半導體。圖片來源:Wikimedia Commons 存放於瑞典諾貝爾博物館(Nobelmuseet)的石墨、石墨烯電晶體、膠帶,膠臺上還有著蓋姆的簽名。由於二維材料的厚度僅為一個至數個原子層(<1nm),在使用二維材料作為電晶體的電流通道層時,其他材料與二維材料的介面(interface)通常會對電流在通道中的傳輸帶來程度不一的影響。為了讓傳說一代一代地傳承下去,成千上萬的半導體工程師殫精竭慮地將元件愈做愈小,以符合摩爾定律的預測。

為了要達成電晶體有效開關電流的目的,二維材料的研究重心也逐漸從沒有能隙(band gap)的半金屬石墨烯,轉移至具有能隙的半導體二維材料,例如二硫化鉬(molybdenum disulfide)、二硫化鎢(tungsten disulfide)等。然而,元件線寬在2010年代逐漸迫近傳統的平面式電晶體的極限,20奈米(nm)技術節點的元件結構也無法再展現出良好特性,研發工程師即使不願意承認卻仍可能發生「摩爾定律已死」的既定命運⸺單位面積內的電晶體數目已經無法再持續增加了。

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因為鰭式場效電晶體的出現,摩爾定律失效的時間便被延後至十數年後,也就是3奈米技術開始進入量產的現在。然而,不同於傳統的半導體材料,理想的二維材料表面並沒有懸鍵(dangling bonds)存在,即便經過高溫退火的過程,金屬原子仍無法擴散進入二維材料,金屬/二維材料的介面也就持續只是介面而已,如此一來,電流在流入電晶體時便會大量地消耗在接點處。其中一個例子便是電晶體無法或缺的閘極氧化物,對於二維材料通道遷移率的負面影響。隨著時間推進,這個沒有科學根據的都市傳說逐漸變成了半導體業界遵從的「摩爾定律」(Moores law)。

低接觸電阻半金屬二維材料電極的出現 在二維材料研究領域許多待解決的問題排行榜中,二維材料與金屬介面間的高接觸電阻一直是排名很前面的問題。因此在大部分的研究中,底閘極電晶體而非半導體業常見的頂閘極電晶體便成為展現二維材料特性的元件結構。雖然命定的結局似乎還沒有來,然而正如同死亡是每一個新生命絕對無法逃避的未來一樣,摩爾定律的失效仍像是擺脫不了的夢靨般,追逐著研發人員的腳步。然而,在20年的研究過後,對於摩爾定律的執著仍然強行地把二維材料的研究主軸拉回電子元件的應用。

除了元件本身的溫度增加之外,為了要讓元件達到可以操作的地步,便需要增加外加偏壓而造成元件的能耗增加。這篇論文除了揭示二維晶體存在的可能性之外,也展現了即使只有單層原子層的厚度(約4埃,angstrom, Å),石墨烯電晶體仍具有極高的載子遷移率(carrier mobility)〔註〕。

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實驗結果發現,由於二維材料表面不像其他材料一樣具有許多懸鍵,因此銻原子就像是穿上了摩擦係數極小的溜冰鞋般,可以在二維材料表面盡情奔跑,也使它更容易在二維材料表面找到另一個志同道合的銻原子。只是這一次的結果是全面的滅絕或另一次重生,仍是未定之天。

在傳統的半導體元件中,電極與半導體間歐姆接點(Ohmic contact)的形成是元件製程中必要的程序。上述發現在2018年被提出(延伸閱讀2),不過一直到去(2023)年「半金屬二維材料可以作為半導體二維材料的低接觸電阻電極」的想法才逐漸被研究社群所接受。那麼我們有沒有辦法使用二維材料,製作出奈米等級的電晶體並繼續延續摩爾定律?此想法成為了對二維材料研究的濫觴。文:林時彥 在《三體》這本科幻小說中,「降維打擊」是一種高階外星文明消滅太陽系全體生命的終極武器。圖片來源:Wikimedia Commons 顯微鏡下的石墨烯薄片。此時,一個嶄新的元件結構如同神諭般從天而降,解救了所有的研發工程師,那就是鰭式場效電晶體(Fin FET)。

2奈米技術節點呢?或許可以用閘極全環式電晶體(GAAFET)解決,不過2奈米以下呢?再接下來呢?然而就像是鰭式場效電晶體的出現一樣,生命的偶然又再次顯現了它的威力。當我們的生活空間從三維變成二維時,三維生命體便會因無法在二維空間內維持生命的表徵而集體滅絕。

2017年,筆者研究團隊的一位博士生提出將銻(antimony, Sb)成長在二維材料表面的想法。自2004年後,大量的研究團隊開始投入二維材料的研究,許多論文也開始大量出現關於二維材料的基礎研究,以及可能應用的探討。

有趣的是,隨著晶片微縮的需求上升,線寬逐漸縮減,半導體元件也可能將要面對相同的降維打擊。由此可見,為了達成二維材料在電子元件的應用,二維材料與其他材料介面的處理,便成為了它在實際應用層面的一個重要課題。

石墨烯的發現 2004年,來自英國曼徹斯特大學(University of Manchester)的研究人員蓋姆(Andre Geim)、諾沃肖洛夫(Konstantin Novoselov)在《科學》(Science)期刊上發表了一篇論文,他們運用半透明膠帶(scotch tape)在高定向熱解石墨(HOPG)塊材上重複黏貼,再將這片膠帶拿到氧化矽/矽基板表面沾黏(延伸閱讀1)。當時的人們也曾經相信二維晶體並不存在於自然界,因此單層石墨薄膜的出現便像是劃開迷霧的第一顆晨星,除了在幾年後帶給這兩位研究人員一座諾貝爾獎之外,人們也給予了這項材料一個新的名字「石墨烯」(graphene)。這個歷史中的巧合顯示了一個簡單的事實,個人的念想無法簡單的撼動整個世代人們的意志,而時代的意志也並不一定指向正確的方向。不過,無論是技術上的想法抑或是對時代意念的反思,可能還得要經過時間的淬鍊才能發揮它的威力

本文經無毒農授權刊登,原文發表於此 延伸閱讀 「古早味」早已成為氾濫之詞,什麼才是真正的台灣味? 「男人,為什麼撐?」充滿父權思想、性別刻板印象的落伍廣告 【加入關鍵評論網會員】每天精彩好文直送你的信箱,每週獨享編輯精選、時事精選、藝文週報等特製電子報。立刻點擊免費加入會員。

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